BSC109N10NS3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC109N10NS3GATMA1 par Infineon et ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC109N10NS3GATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $0,71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Niveau MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |