BSC109N10NS3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC109N10NS3GATMA1 メーカー: Infineon および ISZ230N10NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC109N10NS3GATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.95 | $0.71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| パッケージ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| ピン数 | 8 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| MSLレベル | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |