BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC123N08NS3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single with built-in body diode —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) 55 A —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) 11 A —
Maximum Pulsed Drain Current [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V 12.3 mOhm —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Power Dissipation (Tc) 66 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant with exemption Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

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