BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC123N08NS3GATMA1 por Infineon e BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC123N08NS3GATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single with built-in body diode —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) 55 A —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) 11 A —
Maximum Pulsed Drain Current [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V 12.3 mOhm —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Power Dissipation (Tc) 66 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant with exemption Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology — OptiMOS
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction, typical)
Contagem de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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