BSC123N08NS3GATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC123N08NS3GATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single with built-in body diode Single N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) 55 A —
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) 11 A —
Maximum Pulsed Drain Current [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V 12.3 mOhm —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (Tc) 66 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Statut RoHS Compliant with exemption Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Fiches techniques et ressources

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