BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC12DN20NS3GATMA1 par Infineon et BSC005N03LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC005N03LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $1,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Part Number | — | BSC005N03LS5IATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 433 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) at VGS = 10 mA |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 188 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | N-Channel |