BSC12DN20NS3GATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC12DN20NS3GATMA1 par Infineon et IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC12DN20NS3GATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $1,85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-5 | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Nombre de broches | 8 | 8 + tab |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel |