BSC12DN20NS3GATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC12DN20NS3GATMA1 メーカー: Infineon および IPT017N12NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
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BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | BSC12DN20NS3GATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.61 | $1.85 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-5 | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| ピン数 | 8 | 8 + tab |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| 動作温度 | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel |