BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC146N10LS5ATMA1 par Infineon et BSC027N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC146N10LS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,10
Technology OptiMOS 5 (logic-level) OptiMOS 5 (100V)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 44 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 14.6 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (typ. ~1.7 V) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 52 W 214 W
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ max) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Fiches techniques et ressources

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