BSC190N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC190N15NS3G par Infineon et BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC190N15NS3G | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,98 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench-gate) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V | 19 mOhm | — |
| Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V | [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V] | — |
| Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 125 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 |