BSC190N15NS3G vs BSC190N15NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC190N15NS3G メーカー: Infineon および BSC190N15NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSC190N15NS3G BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC190N15NS3G BSC190N15NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.18 $0.98
FET Type N-Channel —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS max) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V 19 mOhm —
Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V] —
Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 125 W —
動作接合温度 -55C to +150C —
パッケージ SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) [DATA_NEEDED: MSL rating] —
ピン数 8 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
動作温度範囲 — -55 C to +150 C
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — 1

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