BSC190N15NS3GATMA1 vs IPP120N08S403AKSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon et IPP120N08S403AKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC190N15NS3GATMA1 | IPP120N08S403AKSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $2,15 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V to 3.5 V | 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 19 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 167 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) | TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Niveau MSL | 1 | MSL1 (peak reflow up to 260 C) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (bondwire-limited) | — | 245 A at 25 C |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 278 W (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 11550 pF |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.54 K/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | — | 100% avalanche-tested |
| Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Technology Family | — | OptiMOS |