BSC265N10LSFGATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC265N10LSFGATMA1 par Infineon et IAUC50N08S5L096ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC265N10LSFGATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $0,98
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55°C to +175°C
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Automotive Qualification — AEC-Q101

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis