BSC265N10LSFGATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC265N10LSFGATMA1 por Infineon e IAUC50N08S5L096ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC265N10LSFGATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,72 $0,98
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55°C to +175°C
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) — 50 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A
On-Resistance (RDS(on)) — 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) — 60 W (Tc)
Automotive Qualification — AEC-Q101

Fichas técnicas e recursos

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