BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC360N15NS3GATMA1 par Infineon et BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ ActifInfineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC360N15NS3GATMA1 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $0,98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC360N15NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | 19 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 74 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (junction) | -55 C to +150 C |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |