BSL316CH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSL316CH6327XTSA1 par Infineon et BSL215CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSL316CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET —
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) Half-bridge (1 N + 1 P)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Boîtier PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET OptiMOS trench MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Nombre de broches 6 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 1.5 A
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
Boîtier / Format — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
Lead-Free — Yes

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