BSL316CH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSL316CH6327XTSA1 por Infineon e BSL215CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSL316CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET —
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) Half-bridge (1 N + 1 P)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Encapsulamento PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET OptiMOS trench MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Contagem de pinos 6 —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel and P-Channel Complementary Pair
Drain-Source Voltage (V_DS) — 20 V
Continuous Drain Current (I_D) — 1.5 A
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — 250 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW
Encapsulamento / Caixa — PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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