BSP149H6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP149H6327XTSA1 par Infineon et BSS214NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP149H6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,60 | $0,09 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Depletion Mode (normally ON) | — |
| Drain-Source Voltage VDS | 200 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 660 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation PD | 1.8 W (Ta) | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1 ohm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (Tj) | — |
| Technology | SIPMOS | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Channel Count | 1 | — |
| Nombre de broches | 4 (G, D, S, tab) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |