BSP149H6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSP149H6327XTSA1 от Infineon и BSS214NH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSP149H6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,60 | $0,09 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Depletion Mode (normally ON) | — |
| Drain-Source Voltage VDS | 200 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 660 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation PD | 1.8 W (Ta) | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1 ohm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Корпус | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +150 C (Tj) | — |
| Technology | SIPMOS | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Channel Count | 1 | — |
| Число выводов | 4 (G, D, S, tab) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |