BSP316PH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP316PH6327XTSA1 par Infineon et BSP135H6906XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP316PH6327XTSA1 | BSP135H6906XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,78 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | 120 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| Nombre de broches | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | SIPMOS (planar high-voltage) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| RDS(on) Max at VGS=0V | — | 45 Ohm |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | — | Depletion mode (normally-on) |
| Nombre de broches | — | 4 (3 leads + drain tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) |
| Lead-Free | — | Yes |