BSP89H6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP89H6327XTSA1 par Infineon et BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP89H6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,39 | $0,15 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET, enhancement mode | — |
| Technology | SIPMOS (planar power MOS) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 240 V (VGS=0, ID=250 µA) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 0.35 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C | 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 6 Ω (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (Tj) | — |
| Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) | 70 K/W (6 cm² PCB) | — |
| Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) | 25 K/W | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (logic-level compatible) | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| ESD Protection | Internal gate-source Zener | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per ordering code H6327) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead-Free | — | Yes |