BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002L Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS123NH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS123NH6327XTSA1 | 2N7002L |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | onsemi |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,09 | $0,03 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | onsemi |
| Part Number | BSS123NH6327XTSA1 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 190 mA (Ta) | 115 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 200 mW (Ta), 225 mW max |
| RDS(on) Max | 6 Ω @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] | 1 V to 2.5 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | ±20 V | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free lead plating) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 7.5 ohm max at VGS = 5V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Technology | — | High cell density trench MOSFET |
| Configuration | — | Single FET |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged and reliable |
| Gate Drive | — | 5V logic-level enhancement mode |
| Typical Applications | — | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |