BSS123NH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS123NH6327XTSA1 par Infineon et BSS816NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Actif
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS123NH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C
Qualification AEC-Q101 (automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal)
Type de transistor — MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=4.5V — 160 mOhm
RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Technology — OptiMOS 2 trench MOSFET
ESD Protection — Yes (integrated, per Infineon datasheet)
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free

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