BSS123NH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS123NH6327XTSA1 por Infineon e BSS816NWH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Ativo
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS123NH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,09 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C
Qualification AEC-Q101 (automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal)
Tipo de transistor — MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=4.5V — 160 mOhm
RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Technology — OptiMOS 2 trench MOSFET
ESD Protection — Yes (integrated, per Infineon datasheet)
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free

Fichas técnicas e recursos

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