BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS138NH6327XTSA2 par Infineon et BSS138L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS138NH6327XTSA2 BSS138L
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,02
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA 200 mA
Power Dissipation (Ta) 360 mW 350 mW
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Boîtier PG-SOT-23 (3-pin) SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Sans halogène Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel 3000 units per reel (tape and reel)
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
Capacité d'entrée — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fiches techniques et ressources

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