BSS138NH6327XTSA2 vs BSS138L Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS138NH6327XTSA2 por Infineon e BSS138L por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS138NH6327XTSA2 BSS138L
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,02
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA 200 mA
Power Dissipation (Ta) 360 mW 350 mW
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Encapsulamento PG-SOT-23 (3-pin) SOT-23-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Livre de halogênio Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel 3000 units per reel (tape and reel)
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
Capacitância de entrada — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fichas técnicas e recursos

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