BSS169H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS169H6327XTSA1 par Infineon et BSP315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS169H6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,15 | $0,31 |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 mA (Ta) | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | 1.8 W (Ta) |
| RDS(on) Maximum | 6 Ohm at VGS=0 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] | -55 C to +150 C (junction) |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | Depletion-mode vertical DMOS | OptiMOS (enhancement mode) |
| Drain Current at 25C | 170 mA continuous | — |
| Typical RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |