BSS169H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSS169H6327XTSA1 от Infineon и BSP315PH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSS169H6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,15 | $0,31 |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 mA (Ta) | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | 1.8 W (Ta) |
| RDS(on) Maximum | 6 Ohm at VGS=0 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] | -55 C to +150 C (junction) |
| Корпус | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | Depletion-mode vertical DMOS | OptiMOS (enhancement mode) |
| Drain Current at 25C | 170 mA continuous | — |
| Typical RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |