BSS205NH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS205NH6327XTSA1 par Infineon et BSP315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ Actif
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS205NH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS205NH6327XTSA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Boîtier PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> 20 V —
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) 2.5 A —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) 500 mW —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) 85 mΩ —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Gate Drive Voltage Logic-level compatible —
Qualification AEC-Q101 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packaging Tape & Reel (H6327) —
FET Type — P-Channel
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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