BSS205NH6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS205NH6327XTSA1 par Infineon et BSS169H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS205NH6327XTSA1 | BSS169H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,12 | $0,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS205NH6327XTSA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> | 20 V | — |
| Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) | 2.5 A | — |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) | 500 mW | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) | 85 mΩ | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (junction) | [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] |
| Gate Drive Voltage | Logic-level compatible | — |
| Qualification | AEC-Q101 | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Packaging | Tape & Reel (H6327) | — |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 360 mW (Ta) |
| RDS(on) Maximum | — | 6 Ohm at VGS=0 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Pinch-off approx. -3.5 V (typical) |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Technology | — | Depletion-mode vertical DMOS |
| Drain Current at 25C | — | 170 mA continuous |
| Typical RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] |