BSS205NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS205NH6327XTSA1 par Infineon et BSS87H6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 - 20V N-Ch 2.5A MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS205NH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS205NH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS205NH6327XTSA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Boîtier PG-SOT23 (SC-59, TO-236-3), 3-pin PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage V<sub>DS</sub> 20 V —
Continuous Drain Current I<sub>D</sub> (Ta) 2.5 A —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (Ta) 500 mW —
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=4.5 V) 85 mΩ —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (junction)
Gate Drive Voltage Logic-level compatible —
Qualification AEC-Q101 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Packaging Tape & Reel (H6327) —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Nombre de broches — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

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