BSS214NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS214NH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS214NH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,09 | $0,08 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.5 A (Ta) | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 250 mOhm at VGS = 4.5 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±12 V (recommended) | — |
| Technology | OptiMOS 2 (planar N-channel) | OptiMOS (Planar) |
| Boîtier | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (Tj) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Industrial / Commercial Grade |
| Lead Finish | Pb-free lead plating (matte tin) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ESD Protection | Yes (gate ESD diode) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Lead-Free | — | Yes |