BSS214NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 비교

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Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS214NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.09 $0.08
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) OptiMOS (Planar)
패키지 SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23 (SOT-23-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) -55C to +150C (Tj)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial / Commercial Grade
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes

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