BSS214NWH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon et BSL606SNH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS214NWH6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,15 | $0,19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Boîtier | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (Tj) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |