BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS83PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS83PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSS308PEH6327XTSA1 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,11 | $0,11 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| Type de transistor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | Automotive grade per Infineon |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Boîtier | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |