BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS314PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS314PEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,09
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
Boîtier PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) -55C to +150C (junction)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Fiches techniques et ressources

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