BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS314PEH6327XTSA1 par Infineon et BSS316NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS314PEH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,13
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
Boîtier PG-SOT23-3 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

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