BSS316NH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS316NH6327XTSA1 par Infineon et BSL215CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSS316NH6327XTSA1 | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,21 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | OptiMOS 2 (Trench) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V at ID=3.7 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 600 pC at VGS=5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 94 pF at VDS=15 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free (Matte Tin) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Boîtier / Format | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| Lead-Free | — | Yes |