BSS316NH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS316NH6327XTSA1 par Infineon et BSL316CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS316NH6327XTSA1 | BSL316CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,22 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS 2 (Trench) | OptiMOS low-voltage MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V at ID=3.7 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 600 pC at VGS=5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 94 pF at VDS=15 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free (Matte Tin) | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS small-signal complementary MOSFET |
| Configuration | — | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | — | 1.4 A |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | — | 1.5 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-channel + P-channel (dual) |
| Nombre de broches | — | 6 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |