BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS816NWH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Actif
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS816NWH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,09
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) —
Type de transistor MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
RDS(on) max @ VGS=4.5V 160 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Boîtier SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Technology OptiMOS 2 trench MOSFET OptiMOS 2 (planar N-channel)
ESD Protection Yes (integrated, per Infineon datasheet) Yes (gate ESD diode)
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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