BSS816NWH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS816NWH6327XTSA1 par Infineon et BSS316NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS816NWH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,14 $0,13
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal) —
Type de transistor MOSFET, N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
RDS(on) max @ VGS=4.5V 160 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology OptiMOS 2 trench MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
ESD Protection Yes (integrated, per Infineon datasheet) —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Niveau MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Statut RoHS — Compliant
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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