BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ017NE2LS5IATMA1 par Infineon et BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ017NE2LS5IATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,64 | $0,42 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |