BSZ017NE2LS5IATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ017NE2LS5IATMA1 par Infineon et IPB027N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ017NE2LS5IATMA1 | IPB027N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,64 | $1,62 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] |