BSZ036NE2LSATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon et BSC050NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ036NE2LSATMA1 | BSC050NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Niveau MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | — | 39 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5 mOhm |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 28 W |
| Technology | — | OptiMOS 25V (trench) |