BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon et BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ036NE2LSATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 37 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Niveau MSL | 1 (Unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Sans halogène | — | Yes |