BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ0501NSIATMA1 par Infineon et BSZ031NE2LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ0501NSIATMA1 | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,29 | $0,26 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ0501NSIATMA1 | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
| Product Family | OptiMOS 5 (25V/30V) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at TC=25C | 50 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 8 | — |
| JESD-609 Code | e3 (matte tin) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology / Platform | — | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 3.1 mOhm |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 30 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |