BSZ060NE2LSATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ060NE2LSATMA1 par Infineon et BSC021N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ060NE2LSATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,27 | $0,81 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ060NE2LSATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 26 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Niveau MSL | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Shipping Packaging | Tape & Reel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 226 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | — | 214 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Q_G typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| R_thJC thermal resistance max | — | [DATA_NEEDED: R_thJC] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel (T&R) |