BSZ060NE2LSATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ060NE2LSATMA1 por Infineon e BSC021N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSZ060NE2LSATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,27 | $0,81 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ060NE2LSATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 26 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Nível MSL | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Shipping Packaging | Tape & Reel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 226 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | — | 214 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Q_G typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| R_thJC thermal resistance max | — | [DATA_NEEDED: R_thJC] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel (T&R) |