BSZ060NE2LSATMA1 vs IPT007N06NATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ060NE2LSATMA1 par Infineon et IPT007N06NATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ060NE2LSATMA1 | IPT007N06NATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,27 | $2,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSZ060NE2LSATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 44 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 26 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 C to +175 C (TJ) |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Shipping Packaging | Tape & Reel | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 300 A |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | — | 0.75 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 375 W |
| Configuration | — | Single N-channel |
| Gate Charge (QG) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |
| Thermal Resistance (RthJC max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Standard Pack Quantity | — | 3000 (Tape & Reel) |