BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ096N10LS5ATMA1 par Infineon et BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ096N10LS5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,94 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | 20 V (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | 40 A | — |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | 62 A | — |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | 160 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 9.6 mΩ at VGS=10 V | 11 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (low single-volt range) | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 40 A (TC=25 °C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ESD Protection | Yes (gate-integrated) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Code | ATMA1 (tape and reel) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |